Bibliothèque de L'IMIST/CNRST

PH.D Université Mohammed V 2017

Cette thèse, nous avons étudié théoriquement, en utilisant des calculs ab initio, la structure électronique des monocouches et bicouches de graphène.
Nous avons montré, tout d'abord que la variation de l’inter-distance de la bicouche de graphène affecte les propriétés électroniques qui dépendent fortement des configurations d'empilement. Les interactions, dans un tel système, conduisent à l'ouverture de l'énergie de la bande interdite qui rend ce système extrêmement attrayant pour des dispositifs électroniques et des applications optoélectroniques.
Nous avons montré que l’augmentation et la diminution de l’inter-distance ont un effet sur ses propriétés électriques ; l’augmentation de l’inter-distance de la bicouche de graphène AB diminue sa conductivité électrique par contre, la diminution augmente la conductivité de la bicouche de graphène AA.
Nous avons également étudié le graphène dopé par le germanium avec différentes concentrations. Nous avons remarqué, en introduisant un atome de germanium, que les propriétés structurales du graphène changent avec une ouverture de la bande interdite. Cette ouverture augmente avec l’augmentation de la concentration. Ceci fait du système germanium-graphène un bon candidat pour différentes applications dans le domaine de l’électronique.
En plus de cela, nous avons étudié leur propriété optique du graphène dopé par le germanium applications in the field of electronics.
In addition to this, we have studied their optical properties of graphene doped with germanium.