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		Analysis and design of analog integrated circuits Publication : New York Wiley 2009 . xiv, 881 pages , "This is the only comprehensive book in the market for engineers that covers CMOS, bipolar technologies, and biCMOS integrated circuits. The fifth edition retains its completeness, updates the coverage of bipolar technologies, and enhances the discussion of biCMOS. It provides a more unified treatment of digital and analog circuit design while strengthening the coverage of CMOS. The chapter on non-linear analog circuits has been removed and chapter 11 has been updated to include an operational amplifier example. With its streamlined and up-to-date coverage, more engineers will turn to this resource to explore key concepts in the field."--Jacket. 26 cm Date : 2009 Disponibilité : Exemplaires disponibles: La bibliothèque des sciences de l'ingénieur (1), Réserver Ajouter au panier (Supprimer)
		Low-power CMOS Circuits Technology, Logic Design and CAD Tools par Piguet, Christian Publication : Boca Raton (Fla.) CRC Press 2006 . 1 vol. (Pagination multiple) 26 cm Date : 2006 Disponibilité : Exemplaires disponibles: La bibliothèque des sciences de l'ingénieur (1), Réserver Ajouter au panier (Supprimer)
		Microlithography : science and technology / Publication : Boca Raton : CRC Press, 2007 . 1 online resource (848 pages) : Date : 2007 Disponibilité : Exemplaires disponibles: La bibliothèque des sciences de l'ingénieur (1), Réserver Ajouter au panier (Supprimer)
		Pas d'image disponible Développement de filières technologiques Mos-Thyristors adaptées à l'intégration fonctionnelle de nouveaux dispositifs de puissance par Berriane, Radouane Publication : Oujda Université Mohamed Premier, Faculté des Sciences 1997 , Sous format papier Date : 1997 Disponibilité : Exemplaires disponibles: La bibliothèque des sciences de l'ingénieur (1), Réserver Ajouter au panier (Supprimer)
		Pas d'image disponible Analyse fine de la conduction de type Fowler-Nordheim des structures Métal/Oxyde ultra-mince/ Semi-conducteur, caractérisation des défauts localisés dans la couche d’oxyde ultra-mince par Khlifi, Yamina Publication : Oujda Université Mohamed Premier, Faculté des Sciences 2001 , Sous format papier Date : 2001 Disponibilité : Exemplaires disponibles: La bibliothèque des sciences de l'ingénieur (1), Réserver Ajouter au panier (Supprimer)
		Pas d'image disponible Etude et caractérisation des composants MOS en fonction de la température : Vitesse, mobilité, courants parasites et effets des canaux ultra-courts par Rais, Khalid Publication : El Jadida Université Chouaib Doukkali, Faculté des Sciences 1994 , Sous format papier Date : 1994 Disponibilité : Exemplaires disponibles: La bibliothèque des Sciences Exactes et Naturelles (1), Réserver Ajouter au panier (Supprimer)
		Pas d'image disponible Etude et caractérisation du vieillissement des transistors MOS soumis à des contraintes électriques et radiatives par Bendada, Elmaâti Publication : El Jadida Université Chouaib Doukkali, Faculté des Sciences 1999 , Sous format papier Date : 1999 Disponibilité : Exemplaires disponibles: La bibliothèque des Sciences Exactes et Naturelles (1), Réserver Ajouter au panier (Supprimer)
		Pas d'image disponible Utilisation du modèle exponentiel de mobilité effective pour la caractérisation de la rugosité de surface et des résistances séries dans les transistors MOS à canal très court par El Abbassi , Ahmed Publication : El Jadida Université Chouaib Doukkali, Faculté des Sciences 2002 , Sous format papier Date : 2002 Disponibilité : Exemplaires disponibles: La bibliothèque des Sciences Exactes et Naturelles (1), Réserver Ajouter au panier (Supprimer)

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